晶盛機(jī)電：12英寸碳化硅襯底厚度均勻性≤1μm關(guān)鍵技術(shù)突破

每日經(jīng)濟(jì)新聞 2026-03-03 17:08:48

每經(jīng)AI快訊，3月3日，晶盛機(jī)電在投資者關(guān)系活動(dòng)中表示，依托自主搭建的12英寸中試線，浙江晶瑞SuperSiC成功實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅襯底厚度均勻性（TTV）≤1μm的關(guān)鍵技術(shù)突破，這是繼建成行業(yè)首條12英寸碳化硅中試線后取得的重大成果。

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晶盛機(jī)電：12英寸常壓硅外延設(shè)備關(guān)鍵指標(biāo)達(dá)國際先進(jìn)水平

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