截至10:02，中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)上漲0.9%，成分股中，中船特氣上漲11.1%，滬硅產(chǎn)業(yè)上漲8.6%。同花順iFind數(shù)據(jù)顯示，截至昨日，半導(dǎo)體設(shè)備ETF易方達(dá)（159558）已連續(xù)11個(gè)交易日獲資金凈流入，合計(jì)約27億元。

消息面上，5月27日，作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)“雙子星”之一的長(zhǎng)鑫科技科創(chuàng)板IPO通過(guò)上交所上市委會(huì)議，公司IPO擬募集資金295億元，投向存儲(chǔ)器晶圓制造量產(chǎn)線(xiàn)技術(shù)升級(jí)改造、DRAM技術(shù)升級(jí)和前瞻技術(shù)研發(fā)等項(xiàng)目，創(chuàng)下科創(chuàng)板IPO擬募資額之最。

有分析認(rèn)為，長(zhǎng)鑫上市對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的拉動(dòng)，核心在于把“國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)景氣”進(jìn)一步傳導(dǎo)到上游設(shè)備材料。DRAM是重資產(chǎn)投入環(huán)節(jié)，后續(xù)無(wú)論是產(chǎn)線(xiàn)升級(jí)、良率提升，還是制程迭代和國(guó)產(chǎn)化，都離不開(kāi)刻蝕、薄膜沉積、清洗、量測(cè)檢測(cè)、材料等環(huán)節(jié)。此外，2026年存儲(chǔ)需求和價(jià)格景氣提升后，擴(kuò)產(chǎn)帶來(lái)的經(jīng)濟(jì)效應(yīng)亦成為存儲(chǔ)廠(chǎng)商的擴(kuò)產(chǎn)核心動(dòng)力之一。

中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)聚焦半導(dǎo)體上游設(shè)備材料，成分股中半導(dǎo)體設(shè)備與材料權(quán)重占比近九成，直接受益于國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)，半導(dǎo)體設(shè)備ETF易方達(dá)（159558，聯(lián)接A/C：021893/021894）跟蹤該指數(shù)，最新規(guī)模93億元，臨近百億大關(guān)。